針對高頻開關(guān)電源電磁騷擾的電磁兼容設(shè)計
（1）開關(guān)電源入口加電源濾波器，抑制開關(guān)電源所產(chǎn)生的高次諧波。
（2）輸入輸出電源線上加鐵氧體磁環(huán)，一方面抑制電源線內(nèi)的高頻共模，另一方面減小通過電源線輻射的騷擾能量。
（3）電源線盡可能靠近地線，以減小差模輻射的環(huán)路面積；把輸入交流電源線和輸出直流電源線分開走線，減小輸入輸出間的電磁耦合；信號線遠離電源線，靠近地線走線，并且走線不要過長，以減小回路的環(huán)面積；PCB板上的線條寬度不能突變，拐角采用圓弧過渡，盡量不采用直角或尖角。
（4）對芯片和MOS開關(guān)管安裝去耦電容，其位置盡可能地靠近并聯(lián)在器件的電源和接地管腳。
（5）由于接地導線存在Ldi/dt，PCB板和機殼間接地采用銅柱連接，對不適合用銅柱連接的采用較粗的導線，并就近接地。
（6）在開關(guān)管以及輸出整流二極管兩端加RC吸收電路，吸收浪涌電壓。
高頻開關(guān)電源電磁騷擾測試曲線
在3m法電波暗室對試驗樣機進行測試，其L、N線的傳導騷擾檢測曲線如圖2、3所示，輻射騷擾的垂直極化掃描曲線如圖4、5所示。
根據(jù)鐵路客運專線標準規(guī)定，傳導騷擾限值和輻射騷擾限值如表1、2所示。
本開關(guān)電源 通過了傳導騷擾的測試，測試波形如圖2、3所示。輻射騷擾高頻段230～1000MHz也測試合格，如圖5所示。只是在30～200MHz頻段范圍內(nèi)的垂直極化指標超標， 超標20dB，如圖4所示。
由測試結(jié)果可以看出，通過電磁兼容設(shè)計在傳導騷擾抑制方面取得了良好效果，在高頻段輻射騷擾的設(shè)計也達到了預期效果，下面還需對在30～200MHz頻段范圍內(nèi)的輻射騷擾進行改進設(shè)計。
由圖4可以看出，本開關(guān)電源存在輻射騷擾超標的現(xiàn)象，為了抑制電磁騷擾而使用鐵氧體元件，價格便宜，效果明顯。
鐵氧體元件等效電路是電感L和電阻R組成的串聯(lián)電路，L和R都是頻率的函數(shù)。低頻時，R很小，L起主要作用，電磁騷擾被反射而受到抑制；高頻時，R增大，電磁騷擾被吸收并轉(zhuǎn)換成熱能，使高頻騷擾大大衰減。不同的鐵氧體抑制元件，有不同的 抑制頻率范圍。總之，選擇和安裝鐵氧體元件可參照如下幾條：
（1）鐵氧體的體積越大，抑制效果越好；
（2）在體積一定時，長而細的形狀比短而粗的抑制效果好；
（3）內(nèi)徑越小抑制效果也越好；
（4）橫截面越大，越不易飽和；
（5）磁導率越高，抑制的頻率就越低；
（6）鐵氧體抑制元件應當安裝在靠近騷擾源的地方；
（7）在輸入、輸出導線上安裝時，應盡量靠近屏蔽殼的進、出口處。
根據(jù)上面對高頻開關(guān)電源騷擾源和鐵氧體元件的分析，決定在靠近騷擾源的地方套磁珠與磁環(huán)。
圖1a中電容C1的接地端套鐵氧體磁珠（φ3.5×φ1.3×3.5），圖1b中整流二極管D1和D2使用肖特基二極管，其陽極套鐵氧體磁珠（φ3.5×φ1.3×3.5），直流輸出線纜用鐵氧體磁環(huán)（φ13.5×φ7.5×7）繞兩圈且靠近出口處。經(jīng)過處理后重新測試，其掃描曲線如圖6所示。
由此可見，大部分頻段的輻射騷擾已被抑制到標準要求以下，但在頻率81、138、165kHz附近處仍然超標。
根據(jù)對開關(guān)電源電磁騷擾源的分析可知，在圖1b電路中高頻變壓器T1也是一個騷擾源。為了阻止高頻變壓器產(chǎn)生的騷擾信號以輻射方式發(fā)射，把變壓器的外殼用屏蔽材料銅箔環(huán)繞一圈構(gòu)成一回路加以屏蔽，以切斷變壓器通過空間耦合形成的輻射騷擾傳播途徑。
并且為了減少因變壓器側(cè)開通時電流瞬間突變產(chǎn)生的di／dt騷擾，在變壓器T1的 側(cè)串進1個電感，以減小器件的開通損耗，降低輻射騷擾信號。經(jīng)過整改后，輻射騷擾大大下降，再次對本電源輻射騷擾進行測試，完全達到了標準要求，其測試結(jié)果如圖7所示。
隨著高頻開關(guān)電源等電子產(chǎn)品電磁兼容重要性的凸現(xiàn)，我們應該在產(chǎn)品設(shè)計初期階段，同時進行電磁兼容設(shè)計，此時結(jié)構(gòu)和電路方案尚未定型，可選用的方法較多。
如果等到生產(chǎn)階段再去解決，不但給技術(shù)和工藝上帶來很大難度，而且會造成人力、財力和時間的極大浪費。所以，要走出設(shè)計修改法的誤區(qū)，正確運用系統(tǒng)設(shè)計法。
與EMI相關(guān)的因素多且復雜，僅做到上述的幾點措施是遠遠不夠的，還有接地技術(shù)、PCB布局走線等都很重要。電磁兼容的設(shè)計任重而道遠，我們要不斷進行研究探索，使我國的電子產(chǎn)品電磁兼容水平與國際同步。
